首页> 外文OA文献 >Interface effects in ferroelectric PbTiO$_3$ ultrathin films on a paraelectric substrate
【2h】

Interface effects in ferroelectric PbTiO$_3$ ultrathin films on a paraelectric substrate

机译:铁电pbTiO $ _3 $超薄膜的界面效应   顺电基质

代理获取
本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务,本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文,但由于OA文献来源多样且变更频繁,仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况,如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

摘要

Interface effects on the ferroelectric behavior of PbTiO$_3$ ultrathin filmsdeposited on SrTiO$_3$ substrate are investigated using an interatomicpotential approach with parameters fitted to first-principles calculations. Wefind that the correlation of atomic displacements across the film/substrateinterface is crucial for the stabilization of the ferroelectric state in filmsa few unit-cells thick. We show that the minimum film thickness for theappearance of a spontaneous polarized domain state is not an intrinsic propertyof the ferroelectric film but depends on the polarizability of the paraelectricsubstrate. We also observe that the substrate displays an induced polarizationwith an unusual oscillatory behavior.
机译:使用原子间电位方法研究了界面参数对沉积在SrTiO $ _3 $衬底上的PbTiO $ _3 $超薄膜的铁电行为的影响,其参数适合第一性原理计算。我们发现,跨膜/基体界面的原子位移的相关性对于稳定几个单位单元厚度的膜中的铁电态至关重要。我们表明,自发极化畴态出现的最小膜厚不是铁电膜的固有特性,而是取决于顺电基板的极化率。我们还观察到基板显示出具有异常振荡行为的感应极化。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
代理获取

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号